창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-UN9110-S | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | UN9110-S | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOE323 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | UN9110-S | |
| 관련 링크 | UN91, UN9110-S 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 53D132G050GJ6 | 1300µF 50V Aluminum Capacitors Axial, Can 131 mOhm @ 120Hz 1000 Hrs @ 85°C | 53D132G050GJ6.pdf | |
![]() | CBR02C129C3GAC | 1.2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CBR02C129C3GAC.pdf | |
![]() | KC3225A12.0000C3GE00 | 12MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 6mA Standby (Power Down) | KC3225A12.0000C3GE00.pdf | |
| SIS412DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK | SIS412DN-T1-GE3.pdf | ||
![]() | BSB014N04LX3 G | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON | BSB014N04LX3 G.pdf | |
![]() | S0402-4N7J3D | 4.7nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 150 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-4N7J3D.pdf | |
![]() | R1RP0416DSB-25R | R1RP0416DSB-25R ORIGINAL SMD or Through Hole | R1RP0416DSB-25R.pdf | |
![]() | IDT7130LA120CB | IDT7130LA120CB IDT AUCDIP48 | IDT7130LA120CB.pdf | |
![]() | TCSCS0J335KAAR | TCSCS0J335KAAR SAMSUNG SMD | TCSCS0J335KAAR.pdf | |
![]() | FKS2 4700PF10%100 | FKS2 4700PF10%100 WIMA SMD or Through Hole | FKS2 4700PF10%100.pdf | |
![]() | AD7592DIJD | AD7592DIJD AD DIP | AD7592DIJD.pdf |