창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-UN5216-(TX)(8F) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | UN5216-(TX)(8F) | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SOT323 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | UN5216-(TX)(8F) | |
관련 링크 | UN5216-(T, UN5216-(TX)(8F) 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | 0318.500H | FUSE GLASS 500MA 250VAC 3AB 3AG | 0318.500H.pdf | |
![]() | 416F360X3IKT | 36MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F360X3IKT.pdf | |
![]() | 1N483A | DIODE RECT STD RECOVERY | 1N483A.pdf | |
![]() | 216LOSASA25(L) | 216LOSASA25(L) ATI BGA | 216LOSASA25(L).pdf | |
![]() | DAC10BD | DAC10BD PMI/AD CAN | DAC10BD.pdf | |
![]() | M470T2864EH3-CF7 (DDR2/ 1G/ 800/ SO-DIMM | M470T2864EH3-CF7 (DDR2/ 1G/ 800/ SO-DIMM Samsung SMD or Through Hole | M470T2864EH3-CF7 (DDR2/ 1G/ 800/ SO-DIMM.pdf | |
![]() | BU9792FS | BU9792FS ROHM SMD or Through Hole | BU9792FS.pdf | |
![]() | L7812CV.. | L7812CV.. ST TO220 | L7812CV...pdf | |
![]() | SSD1908QT2 | SSD1908QT2 ORIGINAL QFP | SSD1908QT2.pdf | |
![]() | S2513L | S2513L ORIGINAL TO-220 | S2513L.pdf | |
![]() | 2SC3650/CF | 2SC3650/CF Sanyo Sot-89 | 2SC3650/CF.pdf | |
![]() | CB-AO08-0001 | CB-AO08-0001 ORIGINAL N A | CB-AO08-0001.pdf |