창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-UMV1H4R7MFD1TP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | UMV Series Lead Type Taping Spec | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Nichicon | |
계열 | UMV | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 4.7µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 50V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 5000시간(105°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
분극 | - | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 19mA | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | 0.079"(2.00mm) | |
크기/치수 | 0.197" Dia(5.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.236"(6.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | 493-10325-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | UMV1H4R7MFD1TP | |
관련 링크 | UMV1H4R7, UMV1H4R7MFD1TP 데이터 시트, Nichicon 에이전트 유통 |
![]() | BAV20WS-HE3-18 | DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD323 | BAV20WS-HE3-18.pdf | |
![]() | HL021R0BTTR | 1nH Unshielded Multilayer Inductor 346mA 95 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | HL021R0BTTR.pdf | |
![]() | OJ6845E-R52 | RES 680K OHM 1/8W 5% AXIAL | OJ6845E-R52.pdf | |
![]() | CTLL1608-6N8J | CTLL1608-6N8J BOURNS SMD | CTLL1608-6N8J.pdf | |
![]() | RN731JTTD51R1B50 | RN731JTTD51R1B50 ORIGINAL SMD or Through Hole | RN731JTTD51R1B50.pdf | |
![]() | TS431ILT TEL:82766440 | TS431ILT TEL:82766440 ST SOT23-5 | TS431ILT TEL:82766440.pdf | |
![]() | MUN2136T1 | MUN2136T1 ON SOT-23 | MUN2136T1.pdf | |
![]() | B43821A1227M000 | B43821A1227M000 EPCOS DIP2 | B43821A1227M000.pdf | |
![]() | XL93LL46F | XL93LL46F ROHM SMD | XL93LL46F.pdf | |
![]() | S3C2410AL-20N | S3C2410AL-20N SAMSUNG BGA | S3C2410AL-20N.pdf | |
![]() | 218S8ECLA21FG(IXP600) | 218S8ECLA21FG(IXP600) ATI BGA | 218S8ECLA21FG(IXP600).pdf |