홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » UMD3NTR

Rohm Semiconductor UMD3NTR

UMD3NTR
제조업체 부품 번호
UMD3NTR
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
데이터 시트 다운로드
다운로드
UMD3NTR 가격 및 조달

가능 수량

14550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 66.42155
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 UMD3NTR 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. UMD3NTR 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. UMD3NTR가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
UMD3NTR 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
UMD3NTR 매개 변수
내부 부품 번호EIS-UMD3NTR
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서EMD3, UMD3N, IMD3A
카탈로그 페이지 1638 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)10k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)10k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션250MHz
전력 - 최대150mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지UMT6
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)UMD3NTR
관련 링크UMD3, UMD3NTR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
UMD3NTR 의 관련 제품
Magnet Neodymium Iron Boron (NdFeB) N35 0.630" Dia x 0.200" H (16.0mm x 5.00mm) 8217.pdf
RFILNA012SDZZN MURATA SMD or Through Hole RFILNA012SDZZN.pdf
UPD789477GC-A16-8BT NEC QFP UPD789477GC-A16-8BT.pdf
MDS30-10-06 ORIGINAL SMD or Through Hole MDS30-10-06.pdf
TK11245MTL TOKO SMD or Through Hole TK11245MTL.pdf
SD600A YDS SOP10 SD600A.pdf
UA330952A ORIGINAL SMD or Through Hole UA330952A.pdf
LSM330JTR-13 Microsemi DO-214ABSMC LSM330JTR-13.pdf
SN74LS194AJ TI CDIP16 SN74LS194AJ.pdf
T20XH204 VIHSY DIP-3 T20XH204.pdf
PLC30F300A1 POSITRONICIND SMD or Through Hole PLC30F300A1.pdf
emk212bj225mg tai SMD or Through Hole emk212bj225mg.pdf