창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-UMD2NTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EMD2, UMD2N, IMD2A | |
| 카탈로그 페이지 | 1638 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 22k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 22k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | UMT6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | UMD2NTR | |
| 관련 링크 | UMD2, UMD2NTR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | AR4PDHM3_A/I | DIODE AVALANCHE 200V 2A TO277A | AR4PDHM3_A/I.pdf | |
![]() | S0603-101NG2D | 100nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 610 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-101NG2D.pdf | |
![]() | Y402551K0000Q9R | RES SMD 51K OHM 0.02% 1/2W 2010 | Y402551K0000Q9R.pdf | |
![]() | MS4800A-40-0600-X | TRANSMITTER SAFETY LIGHT CURTAIN | MS4800A-40-0600-X.pdf | |
![]() | S-1131B18UC-N4D | S-1131B18UC-N4D TFG SOT89-5 | S-1131B18UC-N4D.pdf | |
![]() | 19-22/R6G6C-A30/2T | 19-22/R6G6C-A30/2T EVEROPTO SMD or Through Hole | 19-22/R6G6C-A30/2T.pdf | |
![]() | EP2C35F484C8(N) | EP2C35F484C8(N) ALTERA BGA | EP2C35F484C8(N).pdf | |
![]() | TMG12C60H | TMG12C60H SanRex TO-263 | TMG12C60H.pdf |