창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-UMB9NTN | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EMB9, UMB9N, IMB9A | |
| 카탈로그 페이지 | 1637 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 트랜지스터 유형 | 2 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | UMT6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | UMB9NTN-ND UMB9NTNTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | UMB9NTN | |
| 관련 링크 | UMB9, UMB9NTN 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1555C1E9R8CA01D | 9.8pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1E9R8CA01D.pdf | |
![]() | TAP224K035CRW | 0.22µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 35V Radial 17 Ohm 0.177" Dia (4.50mm) | TAP224K035CRW.pdf | |
![]() | MP1-1W-1W-1W-1W-1W-NNE-NNE-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP1-1W-1W-1W-1W-1W-NNE-NNE-00.pdf | |
![]() | HD6412240TE13TFQ100B | HD6412240TE13TFQ100B HIT SMD or Through Hole | HD6412240TE13TFQ100B.pdf | |
![]() | 10ZAV33M5X7 | 10ZAV33M5X7 Rubycon DIP-2 | 10ZAV33M5X7.pdf | |
![]() | LD1117A-3.3V-A | LD1117A-3.3V-A UTC TO-252 | LD1117A-3.3V-A.pdf | |
![]() | KD55F160 | KD55F160 sanrex SMD or Through Hole | KD55F160.pdf | |
![]() | LTM170E5-L03 | LTM170E5-L03 SAMSUNG SMD or Through Hole | LTM170E5-L03.pdf | |
![]() | RFD17N06L | RFD17N06L HARRIS SOT252 | RFD17N06L.pdf | |
![]() | MC458L-S08 | MC458L-S08 UTC SOP-8 | MC458L-S08.pdf | |
![]() | QS74LCX4X244Q3 | QS74LCX4X244Q3 IDT SMD or Through Hole | QS74LCX4X244Q3.pdf |