창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-UHE1V681MPD | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | UHE Series | |
주요제품 | UHE Series Aluminum Electrolytic Capacitor | |
카탈로그 페이지 | 1963 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Nichicon | |
계열 | UHE | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 680µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 35V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 7000시간(105°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
분극 | - | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 1.4325A @ 120Hz | |
임피던스 | 31m옴 | |
리드 간격 | 0.197"(5.00mm) | |
크기/치수 | 0.394" Dia(10.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.240"(31.50mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
표준 포장 | 200 | |
다른 이름 | 493-1585 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | UHE1V681MPD | |
관련 링크 | UHE1V6, UHE1V681MPD 데이터 시트, Nichicon 에이전트 유통 |
416F50033IDR | 50MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50033IDR.pdf | ||
IHSM5832RF272L | 2.7mH Unshielded Inductor 200mA 11.29 Ohm Max Nonstandard | IHSM5832RF272L.pdf | ||
KP50101E | KP50101E COSMO DIP | KP50101E.pdf | ||
R5F64168PFD | R5F64168PFD RENESAS QFP | R5F64168PFD.pdf | ||
LTES TEL:82766440 | LTES TEL:82766440 LT SMD or Through Hole | LTES TEL:82766440.pdf | ||
UB2-5NE-5V | UB2-5NE-5V NEC DIP | UB2-5NE-5V.pdf | ||
D65103GDF29 | D65103GDF29 NEC QFP | D65103GDF29.pdf | ||
WDY24D0909D-1W | WDY24D0909D-1W YAOHUA DIP | WDY24D0909D-1W.pdf | ||
EN29F002ANT70JC | EN29F002ANT70JC EON PLCC | EN29F002ANT70JC.pdf | ||
K9F2G08U0M-YCB0 | K9F2G08U0M-YCB0 SAMSUNG TSOP | K9F2G08U0M-YCB0.pdf | ||
IA0912S-2W | IA0912S-2W SUC SIP | IA0912S-2W.pdf | ||
PH031T-6R8MS | PH031T-6R8MS CYNTEC SMD or Through Hole | PH031T-6R8MS.pdf |