창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-UGB18BCT-E3/81 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | UG(F,B)18ACT thru UG(F,B)18DCT | |
| 비디오 파일 | Functions & Parameters of the “Simplest” Semiconductor | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 18A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 9A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 30ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 100V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | UGB18BCT-E3/81 | |
| 관련 링크 | UGB18BCT, UGB18BCT-E3/81 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | RCP1206W39R0JS3 | RES SMD 39 OHM 5% 11W 1206 | RCP1206W39R0JS3.pdf | |
![]() | CW02B250R0JS70 | RES 250 OHM 3.75W 5% AXIAL | CW02B250R0JS70.pdf | |
![]() | TIP35C-TU | TIP35C-TU ISC SMD or Through Hole | TIP35C-TU.pdf | |
![]() | SMART-IMPACTT | SMART-IMPACTT SHUTTLE TQFP | SMART-IMPACTT.pdf | |
![]() | TAE1453 | TAE1453 SIEMENS SOP-8 | TAE1453.pdf | |
![]() | S-80844ANMP-ED8-T2 | S-80844ANMP-ED8-T2 SEIKO SOT23-5 | S-80844ANMP-ED8-T2.pdf | |
![]() | LQH18HN82NJ | LQH18HN82NJ MURATA SMD or Through Hole | LQH18HN82NJ.pdf | |
![]() | 7500 M7-CSP32 216Q7CGBGA13 | 7500 M7-CSP32 216Q7CGBGA13 ATI BGA | 7500 M7-CSP32 216Q7CGBGA13.pdf | |
![]() | AMB210903 | AMB210903 Panasonic SMD or Through Hole | AMB210903.pdf | |
![]() | 3C414438VF | 3C414438VF MOT BGA | 3C414438VF.pdf | |
![]() | NCP303LSN09 | NCP303LSN09 ON SOT23-5 | NCP303LSN09.pdf |