창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-UGB10DCTHE3/81 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BYQ28E(F,B)-100/200, UG(F,B)10B Packaging Information | |
| 비디오 파일 | Functions & Parameters of the “Simplest” Semiconductor | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 5A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 5A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 25ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 200V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | UGB10DCTHE3/81 | |
| 관련 링크 | UGB10DCT, UGB10DCTHE3/81 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 416F50012IDR | 50MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50012IDR.pdf | |
![]() | TDA7372A | TDA7372A ORIGINAL SMD or Through Hole | TDA7372A.pdf | |
![]() | ST62E65F1 | ST62E65F1 sgs SMD or Through Hole | ST62E65F1.pdf | |
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![]() | PHE426DJ4270JR05 | PHE426DJ4270JR05 KEMET SMD or Through Hole | PHE426DJ4270JR05.pdf | |
![]() | X5165S8-5.0 | X5165S8-5.0 XICOR SOP-8 | X5165S8-5.0.pdf | |
![]() | K887-4081SA | K887-4081SA ORIGINAL SMD or Through Hole | K887-4081SA.pdf | |
![]() | QG82006MCH QL71ES | QG82006MCH QL71ES INTEL BGA | QG82006MCH QL71ES.pdf | |
![]() | PCA85176T/Q900/1 | PCA85176T/Q900/1 NXP SMD or Through Hole | PCA85176T/Q900/1.pdf | |
![]() | 742C083152J | 742C083152J CTS ORIGINAL | 742C083152J.pdf |