창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-UES702 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | UES701-703 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 25A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 950mV @ 25A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 35ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 100V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-4 | |
| 작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 175°C | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | Q2151700 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | UES702 | |
| 관련 링크 | UES, UES702 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | MA-306 19.6608M-C3: ROHS | 19.6608MHz ±50ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-306 19.6608M-C3: ROHS.pdf | |
![]() | DSC1001DL1-027.0000T | 27MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 7.2mA Standby (Power Down) | DSC1001DL1-027.0000T.pdf | |
![]() | SB1R5-24-12S | SB1R5-24-12S ARCH SMD or Through Hole | SB1R5-24-12S.pdf | |
![]() | RJM73P0204F2T4300/430R | RJM73P0204F2T4300/430R ORIGINAL SMD or Through Hole | RJM73P0204F2T4300/430R.pdf | |
![]() | sn74ls126a | sn74ls126a TI SOP | sn74ls126a.pdf | |
![]() | HSML-A100-R7PJ1(B) | HSML-A100-R7PJ1(B) AGILENT SMD or Through Hole | HSML-A100-R7PJ1(B).pdf | |
![]() | CN2A4TE823J | CN2A4TE823J KOA SMD or Through Hole | CN2A4TE823J.pdf | |
![]() | X2420E | X2420E TI BGA | X2420E.pdf | |
![]() | L-H191 | L-H191 ORIGINAL SMD or Through Hole | L-H191.pdf | |
![]() | HD6432291R21TE | HD6432291R21TE HIT QFP | HD6432291R21TE.pdf | |
![]() | 2305NZ-1HDCG8 | 2305NZ-1HDCG8 IDT SMD or Through Hole | 2305NZ-1HDCG8.pdf | |
![]() | CY27C128-55WC | CY27C128-55WC CYP DIP | CY27C128-55WC.pdf |