창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-UES1103 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | UES1101-03, BYV27-50,100,150 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 150V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 2.5A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 975mV @ 2A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 25ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 150V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | A, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | - | |
| 작동 온도 - 접합 | 175°C(최대) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | UES1103 | |
| 관련 링크 | UES1, UES1103 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0335C1E7R4CA01D | 7.4pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1E7R4CA01D.pdf | |
![]() | ASG-D-V-A-106.250MHZ | 106.25MHz LVDS VCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 40mA Enable/Disable | ASG-D-V-A-106.250MHZ.pdf | |
![]() | CR1206-FX-5362ELF | RES SMD 53.6K OHM 1% 1/4W 1206 | CR1206-FX-5362ELF.pdf | |
![]() | PLTT0805Z1641AGT5 | RES SMD 1.64KOHM 0.05% 1/4W 0805 | PLTT0805Z1641AGT5.pdf | |
![]() | BT827KPFB | BT827KPFB CONEXANT QFP | BT827KPFB.pdf | |
![]() | GTW4532-271J | GTW4532-271J GOTREND 1812-270UH | GTW4532-271J.pdf | |
![]() | K5W2G1GACD-SL60 | K5W2G1GACD-SL60 SAMSUMG BGA | K5W2G1GACD-SL60.pdf | |
![]() | AF82801JIB,SLB8R | AF82801JIB,SLB8R INTEL SMD or Through Hole | AF82801JIB,SLB8R.pdf | |
![]() | NLC201205T-68NG | NLC201205T-68NG TDK SMD or Through Hole | NLC201205T-68NG.pdf | |
![]() | 14-2-681 | 14-2-681 ALCATL SMD or Through Hole | 14-2-681.pdf | |
![]() | 8.192KX-49 | 8.192KX-49 quarzi SMD or Through Hole | 8.192KX-49.pdf | |
![]() | SXTA43 Q68000-A8650 | SXTA43 Q68000-A8650 SIEMENS SMD or Through Hole | SXTA43 Q68000-A8650.pdf |