창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-UDZSTE-1712B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | UDZS12B | |
카탈로그 페이지 | 1643 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 12V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 9V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-90, SOD-323F | |
공급 장치 패키지 | UMD2 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | UDZSTE-1712BTR UDZSTE1712B | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | UDZSTE-1712B | |
관련 링크 | UDZSTE-, UDZSTE-1712B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 825F3R3E | RES CHAS MNT 3.3 OHM 1% 25W | 825F3R3E.pdf | |
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![]() | LTO030FR4700JTE3 | RES 0.47 OHM 30W 5% TO220 | LTO030FR4700JTE3.pdf | |
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![]() | K8P6415UQB-DI4B | K8P6415UQB-DI4B SAMSUNG BGA | K8P6415UQB-DI4B.pdf | |
![]() | 5K361 | 5K361 ORIGINAL SMD or Through Hole | 5K361.pdf | |
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![]() | 28C02360EW | 28C02360EW STEWARD SMD or Through Hole | 28C02360EW.pdf |