창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-TwinMOS 256DDR2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | TwinMOS 256DDR2 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | TwinMOS 256DDR2 | |
관련 링크 | TwinMOS 2, TwinMOS 256DDR2 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
CL21C182JBFNNNG | 1800pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21C182JBFNNNG.pdf | ||
GRM1556R1H2R2CZ01D | 2.2pF 50V 세라믹 커패시터 R2H 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1556R1H2R2CZ01D.pdf | ||
IRFR9N20DTRLPBF | MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK | IRFR9N20DTRLPBF.pdf | ||
L-14W47NKV4E | 47nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 280 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | L-14W47NKV4E.pdf | ||
SP1210-392K | 3.9µH Shielded Wirewound Inductor 665mA 470 mOhm Max Nonstandard | SP1210-392K.pdf | ||
4814P-T02-680 | RES ARRAY 13 RES 68 OHM 14SOIC | 4814P-T02-680.pdf | ||
FDV0630-4R7M | FDV0630-4R7M TOKO SMD | FDV0630-4R7M.pdf | ||
PH2-40-UA | PH2-40-UA ADAMTECH SMD or Through Hole | PH2-40-UA.pdf | ||
XAMCHC=32.768KHZ 12.5PF | XAMCHC=32.768KHZ 12.5PF XAMCHC DIP | XAMCHC=32.768KHZ 12.5PF.pdf | ||
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T4021DS | T4021DS TAIMEC TQFP48 | T4021DS.pdf |