창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TZS4716-GS08 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TZS4678 to TZS4717 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 39V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 29.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 100mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-80 변형 | |
공급 장치 패키지 | SOD-80 QuadroMELF | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TZS4716-GS08 | |
관련 링크 | TZS4716, TZS4716-GS08 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
2225SA332KAT1A | 3300pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2225(5763 미터법) 0.225" L x 0.250" W(5.72mm x 6.35mm) | 2225SA332KAT1A.pdf | ||
MMUN2111LT1G | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 | MMUN2111LT1G.pdf | ||
AT1305P_GRE | AT1305P_GRE AIT SMD or Through Hole | AT1305P_GRE.pdf | ||
CXO-049 | CXO-049 KSS DIP | CXO-049.pdf | ||
K4E6416120-TC50 | K4E6416120-TC50 SAMSUNG SOIC | K4E6416120-TC50.pdf | ||
MLZ1608E-100MT | MLZ1608E-100MT TDK SMD or Through Hole | MLZ1608E-100MT.pdf | ||
R3130N17EC-TR-F | R3130N17EC-TR-F RICOH SOT23 | R3130N17EC-TR-F.pdf | ||
BCR10-8 | BCR10-8 ORIGINAL TO-220 | BCR10-8.pdf | ||
FCN-245D068-G/E | FCN-245D068-G/E FUJITSUCOMPONENT SMD or Through Hole | FCN-245D068-G/E.pdf | ||
HEF4050 | HEF4050 NXP SOP | HEF4050.pdf | ||
ICVN3105A150FR | ICVN3105A150FR INNOCHIP SMD | ICVN3105A150FR.pdf | ||
NGD8210NT4G | NGD8210NT4G ON DPAK4LEADSingleG | NGD8210NT4G.pdf |