창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TZM5231F-GS18 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 10,000 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
허용 오차 | - | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1600옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | |
공급 장치 패키지 | SOD-80 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TZM5231F-GS18 | |
관련 링크 | TZM5231, TZM5231F-GS18 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | SP1210R-224J | 220µH Shielded Wirewound Inductor 100mA 20.7 Ohm Max Nonstandard | SP1210R-224J.pdf | |
![]() | RT1206BRC07182RL | RES SMD 182 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRC07182RL.pdf | |
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![]() | IRF42N20 | IRF42N20 IR TO-220 | IRF42N20.pdf | |
![]() | 553-0111-807F | 553-0111-807F DLT SMD or Through Hole | 553-0111-807F.pdf | |
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![]() | M30876MJB-737GP U3 | M30876MJB-737GP U3 RENESAS QFP | M30876MJB-737GP U3.pdf | |
![]() | F751993/P | F751993/P TI BGA | F751993/P.pdf | |
![]() | 1210ZC226KATM | 1210ZC226KATM AVX SMD or Through Hole | 1210ZC226KATM.pdf | |
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![]() | UDN2981/82A-LF | UDN2981/82A-LF MIS SMD or Through Hole | UDN2981/82A-LF.pdf | |
![]() | HFW4R-1STE1LF | HFW4R-1STE1LF ORIGINAL ROHS | HFW4R-1STE1LF.pdf |