창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TV50C111J-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TV50C110~441-G | |
| 제품 교육 모듈 | ESD and ESD Suppressors | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration | |
| PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Comchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | 1 | |
| 양방향 채널 | - | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 110V | |
| 전압 - 항복(최소) | 122V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 177V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 28.53A | |
| 전력 - 피크 펄스 | 3000W(3kW) | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AB, SMC | |
| 공급 장치 패키지 | DO-214AB,(SMC) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TV50C111J-G | |
| 관련 링크 | TV50C1, TV50C111J-G 데이터 시트, Comchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | C1608CH2A470J080AA | 47pF 100V 세라믹 커패시터 CH 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608CH2A470J080AA.pdf | |
![]() | VJ0805D560MLBAP | 56pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D560MLBAP.pdf | |
![]() | 740 377-00 | 740 377-00 AMIS TQFP-64 | 740 377-00.pdf | |
![]() | DT57V21600-7P | DT57V21600-7P DTM SOIC | DT57V21600-7P.pdf | |
![]() | QMV1078CS1 | QMV1078CS1 NORTEL BGA | QMV1078CS1.pdf | |
![]() | 6CWQ06FNTRPB | 6CWQ06FNTRPB VISHAY SMD or Through Hole | 6CWQ06FNTRPB.pdf | |
![]() | ZS310 | ZS310 FormosaMS SMD or Through Hole | ZS310.pdf | |
![]() | DEC1X3J050DC4BMS1 | DEC1X3J050DC4BMS1 MURATA DIP | DEC1X3J050DC4BMS1.pdf | |
![]() | S-817B30AY-B-G | S-817B30AY-B-G SII TO-92 | S-817B30AY-B-G.pdf | |
![]() | 5-1634503-3 | 5-1634503-3 TEConnectivity SMD or Through Hole | 5-1634503-3.pdf | |
![]() | SC16C852IBS | SC16C852IBS PhilipsSemiconducto SMD or Through Hole | SC16C852IBS.pdf |