창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TV30C9V0J-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TV30C5V0~441-G | |
제품 교육 모듈 | ESD and ESD Suppressors | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration | |
PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Comchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 1 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 9V | |
전압 - 항복(최소) | 10V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 15.4V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 194.81A | |
전력 - 피크 펄스 | 3000W(3kW) | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AB, SMC | |
공급 장치 패키지 | DO-214AB,(SMC) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TV30C9V0J-G | |
관련 링크 | TV30C9, TV30C9V0J-G 데이터 시트, Comchip Technology 에이전트 유통 |
![]() | CDS5CC030DO3 | MICA | CDS5CC030DO3.pdf | |
![]() | 445C35D24M57600 | 24.576MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C35D24M57600.pdf | |
![]() | ASPI-7318-R68M-T | 680nH Shielded Wirewound Inductor 15.5A 5.5 mOhm Max Nonstandard | ASPI-7318-R68M-T.pdf | |
![]() | PHP00603E23R2BBT1 | RES SMD 23.2 OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E23R2BBT1.pdf | |
![]() | CMF555M6000FKEK | RES 5.6M OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF555M6000FKEK.pdf | |
![]() | XC2S300E-5PQG208C | XC2S300E-5PQG208C XILINX QFP | XC2S300E-5PQG208C.pdf | |
![]() | 40250V1 | 40250V1 ORIGINAL TO-66 | 40250V1.pdf | |
![]() | ATC600L0R3AT200T | ATC600L0R3AT200T ORIGINAL SMD or Through Hole | ATC600L0R3AT200T.pdf | |
![]() | RA3-100V331MJ6 | RA3-100V331MJ6 ELNA DIP | RA3-100V331MJ6.pdf | |
![]() | NDS0610T | NDS0610T FSC SOT-23 | NDS0610T.pdf | |
![]() | ESMH800VSN272MQ35S | ESMH800VSN272MQ35S NIPPON SMD or Through Hole | ESMH800VSN272MQ35S.pdf | |
![]() | 19300060291 | 19300060291 HARTING SMD or Through Hole | 19300060291.pdf |