창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TV30C7V5J-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TV30C5V0~441-G | |
제품 교육 모듈 | ESD and ESD Suppressors | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration | |
PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Comchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 1 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 7.5V | |
전압 - 항복(최소) | 8.33V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 12.9V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 232.56A | |
전력 - 피크 펄스 | 3000W(3kW) | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AB, SMC | |
공급 장치 패키지 | DO-214AB,(SMC) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TV30C7V5J-G | |
관련 링크 | TV30C7, TV30C7V5J-G 데이터 시트, Comchip Technology 에이전트 유통 |
![]() | MLZ2012M1R5HTD25 | 1.5µH Shielded Multilayer Inductor 700mA 182 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLZ2012M1R5HTD25.pdf | |
![]() | ERJ-PA3F4220V | RES SMD 422 OHM 1% 1/4W 0603 | ERJ-PA3F4220V.pdf | |
![]() | CF1JB470K | CARBON FILM 1W 5% 470K OHM | CF1JB470K.pdf | |
![]() | Y0007120R000A0L | RES 120 OHM 0.6W 0.05% RADIAL | Y0007120R000A0L.pdf | |
![]() | SIL06C-05SADJ-VJ | SIL06C-05SADJ-VJ artesyn SMD or Through Hole | SIL06C-05SADJ-VJ.pdf | |
![]() | CAT5118TBI-00-T | CAT5118TBI-00-T CATALYST SOT153 | CAT5118TBI-00-T.pdf | |
![]() | LMV358MX PB | LMV358MX PB NS 3.9MM | LMV358MX PB.pdf | |
![]() | MIC4685WR-TR | MIC4685WR-TR MICREL NA | MIC4685WR-TR.pdf | |
![]() | 103PF K(CC0402ZRY5V9BB103 50V) | 103PF K(CC0402ZRY5V9BB103 50V) YAGEO SMD or Through Hole | 103PF K(CC0402ZRY5V9BB103 50V).pdf | |
![]() | WT61P8 010 | WT61P8 010 WELTREND QFP | WT61P8 010.pdf | |
![]() | IR5122DE | IR5122DE IR SMD or Through Hole | IR5122DE.pdf |