창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TT8U2TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TT8U2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 다이오드(절연), 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 105m옴 @ 2.4A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.7nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 850pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | 8-TSST | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | TT8U2TRTR TT8U2TRTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TT8U2TR | |
| 관련 링크 | TT8U, TT8U2TR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 7A48000118 | 48MHz ±15ppm 수정 8pF -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7A48000118.pdf | |
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![]() | QG82945PM/SL8Z4 | QG82945PM/SL8Z4 INTEL SMD or Through Hole | QG82945PM/SL8Z4.pdf | |
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![]() | LT6660JCDC-3#PBF | LT6660JCDC-3#PBF LINEAR DFN3 0 -70 | LT6660JCDC-3#PBF.pdf | |
![]() | MAX17435ETG+T | MAX17435ETG+T MAXIM SMD or Through Hole | MAX17435ETG+T.pdf | |
![]() | 74LBC184P | 74LBC184P TI DIP | 74LBC184P.pdf | |
![]() | MCP508AP | MCP508AP BB/TI DIP16 | MCP508AP.pdf |