홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 어레이 » TT8M1TR

Rohm Semiconductor TT8M1TR

TT8M1TR
제조업체 부품 번호
TT8M1TR
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8
데이터 시트 다운로드
다운로드
TT8M1TR 가격 및 조달

가능 수량

11550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 124.61455
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 TT8M1TR 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. TT8M1TR 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TT8M1TR가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
TT8M1TR 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
TT8M1TR 매개 변수
내부 부품 번호EIS-TT8M1TR
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서TT8M1
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형N 및 P-Chan
FET 특징논리 레벨 게이트, 1.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.5A
Rds On(최대) @ Id, Vgs72m옴 @ 2.5A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs3.6nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds260pF @ 10V
전력 - 최대1W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SMD, 평면 리드
공급 장치 패키지8-TSST
표준 포장 3,000
다른 이름TT8M1TRTR
TT8M1TRTR-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)TT8M1TR
관련 링크TT8M, TT8M1TR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
TT8M1TR 의 관련 제품
180nH Shielded Inductor 970mA 120 mOhm Max 1008 (2520 Metric) S1008-181G.pdf
RES 620 OHM 1W 5% AXIAL RSF100JB-73-620R.pdf
IS62C1024-35Q ISSI SOP IS62C1024-35Q.pdf
LM355D ST SOP-8 LM355D.pdf
IP-244-CU01 VICOR SMD or Through Hole IP-244-CU01.pdf
CY7C4851-10AI CYPRESS QFP-64L CY7C4851-10AI.pdf
AT49BV008AT-15TI ATMEL 40TSOP AT49BV008AT-15TI.pdf
2MBI300L-060(300A600V) FUJI SMD or Through Hole 2MBI300L-060(300A600V).pdf
338CKR035M llinoisCapacitor DIP 338CKR035M.pdf
HM9711F ORIGINAL SMD or Through Hole HM9711F.pdf
BZW50-47 ST P-600 BZW50-47.pdf
66PR200KLF BI DIP 66PR200KLF.pdf