창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TT8J13TCR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TT8J13 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 62m옴 @ 2.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2000pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | 8-TSST | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | TT8J13TCRTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TT8J13TCR | |
| 관련 링크 | TT8J1, TT8J13TCR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D300MXAAC | 30pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D300MXAAC.pdf | |
![]() | FXO-PC725-156.25 | 156.25MHz LVPECL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 2.5V 41mA Enable/Disable | FXO-PC725-156.25.pdf | |
![]() | 768163393JPTR13 | RES ARRAY 8 RES 39K OHM 16SOIC | 768163393JPTR13.pdf | |
![]() | 24FFM01 | 24FFM01 HIT SOP | 24FFM01.pdf | |
![]() | 74LXH244A | 74LXH244A TI TSSOP | 74LXH244A.pdf | |
![]() | CL201209T-R10K-S | CL201209T-R10K-S ORIGINAL 0805L | CL201209T-R10K-S.pdf | |
![]() | ACE306C200BBN+H | ACE306C200BBN+H ACE SMD or Through Hole | ACE306C200BBN+H.pdf | |
![]() | 19177533 | 19177533 DELPHI con | 19177533.pdf | |
![]() | WPES-036AN41B22UWC | WPES-036AN41B22UWC ORIGINAL SMD or Through Hole | WPES-036AN41B22UWC.pdf | |
![]() | K6F8016U6BEF70 | K6F8016U6BEF70 SAM SMD or Through Hole | K6F8016U6BEF70.pdf | |
![]() | BD500(A | BD500(A MOT SMD or Through Hole | BD500(A.pdf | |
![]() | 7E03LB-6R8N | 7E03LB-6R8N SAGAMI SMD | 7E03LB-6R8N.pdf |