창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TT8J11TCR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TT8J11 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 43m옴 @ 3.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2600pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 650mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | 8-TSST | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | TT8J11TCRTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TT8J11TCR | |
| 관련 링크 | TT8J1, TT8J11TCR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | AM012NA | AM012NA ORIGINAL DIP | AM012NA.pdf | |
![]() | MB351-BP | MB351-BP ORIGINAL SMD or Through Hole | MB351-BP.pdf | |
![]() | 12107A120FAT2A | 12107A120FAT2A AVX SMD | 12107A120FAT2A.pdf | |
![]() | AT93C86-10TI-1.8 | AT93C86-10TI-1.8 ATMEL SOP-8 | AT93C86-10TI-1.8.pdf | |
![]() | C0805N101J101T | C0805N101J101T HEC SMD or Through Hole | C0805N101J101T.pdf | |
![]() | LT1529CT-3.3 | LT1529CT-3.3 LINEAR TO220-5 | LT1529CT-3.3.pdf | |
![]() | XT424T30W 230VAC | XT424T30W 230VAC ORIGINAL DIP SMD | XT424T30W 230VAC.pdf | |
![]() | M24256WMW6 | M24256WMW6 ST SOP8 | M24256WMW6.pdf | |
![]() | VHF160808H8N2DT | VHF160808H8N2DT Fenghua MultilayerVeryHigh | VHF160808H8N2DT.pdf | |
![]() | TH1C106M0811M | TH1C106M0811M samwha DIP-2 | TH1C106M0811M.pdf |