창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TS3L110DGVR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TS3L110DGVR | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | TVSOP16 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TS3L110DGVR | |
| 관련 링크 | TS3L11, TS3L110DGVR 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | S150K25SL0N6UJ5R | 15pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.256" Dia(6.50mm) | S150K25SL0N6UJ5R.pdf | |
![]() | VJ0805D2R4DLCAC | 2.4pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D2R4DLCAC.pdf | |
![]() | THJB336M006RJN | 33µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 1210 (3528 Metric) 2.2 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | THJB336M006RJN.pdf | |
![]() | 416F26035ATT | 26MHz ±30ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26035ATT.pdf | |
![]() | PTN1206E1803BST1 | RES SMD 180K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E1803BST1.pdf | |
![]() | AME8550BEETAA-2.7 | AME8550BEETAA-2.7 AME SOT-23 | AME8550BEETAA-2.7.pdf | |
![]() | 74H299N | 74H299N ORIGINAL SMD or Through Hole | 74H299N.pdf | |
![]() | 6029590-201 | 6029590-201 TI DIP-14 | 6029590-201.pdf | |
![]() | SC802-06 / EC | SC802-06 / EC FUJI SMD or Through Hole | SC802-06 / EC.pdf | |
![]() | XC4413-6PQ240I | XC4413-6PQ240I XILINX SMD or Through Hole | XC4413-6PQ240I.pdf | |
![]() | TM5600 633MHZ | TM5600 633MHZ TRANSMETA BGA474P | TM5600 633MHZ.pdf | |
![]() | YS170116P40G | YS170116P40G ABB MODULE | YS170116P40G.pdf |