창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TRS6E65C,S1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TRS6E65C | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 실리콘 카바이드 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 650V | |
전류 -평균 정류(Io) | 6A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.7V @ 6A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 90µA @ 650V | |
정전 용량 @ Vr, F | 35pF @ 650V, 1MHz | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-2 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-2L | |
작동 온도 - 접합 | 175°C(최대) | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TRS6E65C,S1Q(S TRS6E65CS1Q | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TRS6E65C,S1Q | |
관련 링크 | TRS6E65, TRS6E65C,S1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | GRM1556T1H220GD01D | 22pF 50V 세라믹 커패시터 T2H 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1556T1H220GD01D.pdf | |
![]() | T95D107M016ESSS | 100µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 16V 2917 (7343 Metric) 140 mOhm 0.293" L x 0.170" W (7.44mm x 4.32mm) | T95D107M016ESSS.pdf | |
![]() | 3-1423158-3 | RELAY TIME DELAY | 3-1423158-3.pdf | |
![]() | TFPT0805L6800JV | PTC Thermistor 680 Ohm 0805 (2125 Metric) | TFPT0805L6800JV.pdf | |
![]() | LM4041DIM312TR | LM4041DIM312TR micrel SMD or Through Hole | LM4041DIM312TR.pdf | |
![]() | TV00560002CDGB | TV00560002CDGB TOSHIBA SMD or Through Hole | TV00560002CDGB.pdf | |
![]() | MN152851TKE | MN152851TKE PANASONIC DIP52 | MN152851TKE.pdf | |
![]() | K4T51163QJ-HCE7 | K4T51163QJ-HCE7 Samsung FBGA | K4T51163QJ-HCE7.pdf | |
![]() | A2C00042744 | A2C00042744 NEC TSSOP20 | A2C00042744.pdf | |
![]() | 16VXG47000M35X50 | 16VXG47000M35X50 RUBYCON DIP | 16VXG47000M35X50.pdf | |
![]() | 24LC08B/P118 | 24LC08B/P118 MIC SMD or Through Hole | 24LC08B/P118.pdf | |
![]() | JH12864-COG08A | JH12864-COG08A ORIGINAL SMD or Through Hole | JH12864-COG08A.pdf |