창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TRPGR30ENATGB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TRPGR30ENATGB | |
제조업체 제품 페이지 | TRPGR30ENATGB Specifications | |
종류 | RF/IF 및 RFID | |
제품군 | RFID 트랜스폰더/태그 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | - | |
부품 현황 | * | |
유형 | 유리 밀폐형 | |
기술 | 수동 | |
주파수 | 134.2kHz | |
메모리 유형 | 읽기 전용 | |
쓰기 가능 메모리 | - | |
표준 | ISO 11784, ISO 11785 | |
작동 온도 | -25°C ~ 70°C | |
크기/치수 | 3.85mm Dia x 31.20mm | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | 296-38015-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TRPGR30ENATGB | |
관련 링크 | TRPGR30, TRPGR30ENATGB 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
![]() | EEV-TG1J100P | 10µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2.2 Ohm @ 100kHz 1000 Hrs @ 125°C | EEV-TG1J100P.pdf | |
![]() | CTX2-1-R | Unshielded 2 Coil Inductor Array 8.1µH Inductance - Connected in Series 2.03µH Inductance - Connected in Parallel 10 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 4.1A Nonstandard | CTX2-1-R.pdf | |
![]() | 55526-0908 | 55526-0908 MOLEX SMD or Through Hole | 55526-0908.pdf | |
![]() | TCM8305AN2L | TCM8305AN2L TI DIP28 | TCM8305AN2L.pdf | |
![]() | A1824/6 | A1824/6 HITACHI CAN3 | A1824/6.pdf | |
![]() | 870013402 | 870013402 PHI DIP | 870013402.pdf | |
![]() | BSM100GB120DN1 | BSM100GB120DN1 INFINEON SMD or Through Hole | BSM100GB120DN1.pdf | |
![]() | P89LPC936FDH,529 | P89LPC936FDH,529 NXP SMD or Through Hole | P89LPC936FDH,529.pdf | |
![]() | PMMA7660FCR1 | PMMA7660FCR1 ON QFN | PMMA7660FCR1.pdf | |
![]() | BZX85C33V | BZX85C33V VISHAY DO41 | BZX85C33V.pdf | |
![]() | RPF57711B#TB | RPF57711B#TB renesas SMD or Through Hole | RPF57711B#TB.pdf |