창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPW4R50ANH,L1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPW4R50ANH | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 92A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 46A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 58nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5200pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 800mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-DSOP 고급 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | TPW4R50ANH,L1Q(M TPW4R50ANHL1QTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPW4R50ANH,L1Q | |
관련 링크 | TPW4R50A, TPW4R50ANH,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | XREWHT-L1-R250-00AB2 | LED Lighting XLamp® XR-E White 3.3V 350mA 90° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad | XREWHT-L1-R250-00AB2.pdf | |
![]() | PE-53191NLT | 22µH Unshielded Toroidal Inductor 94 mOhm Max Radial | PE-53191NLT.pdf | |
![]() | SM2615FT3R57 | RES SMD 3.57 OHM 1% 1W 2615 | SM2615FT3R57.pdf | |
![]() | PT5522N | PT5522N TIS Call | PT5522N.pdf | |
![]() | MAX764MJA | MAX764MJA MAXIM DIP | MAX764MJA.pdf | |
![]() | UPA187 | UPA187 NEC TSSOP-8 | UPA187.pdf | |
![]() | IN4148-88-E | IN4148-88-E ORIGINAL SMD or Through Hole | IN4148-88-E.pdf | |
![]() | SSB14-3R | SSB14-3R NEC/TOKI SMD | SSB14-3R.pdf | |
![]() | EKMX351ELL680MLN3S | EKMX351ELL680MLN3S NIPPONCHEMI SMD or Through Hole | EKMX351ELL680MLN3S.pdf | |
![]() | P8085H | P8085H intel DIP | P8085H.pdf | |
![]() | FF200R12KE3ENG | FF200R12KE3ENG ORIGINAL SMD or Through Hole | FF200R12KE3ENG.pdf | |
![]() | 39-29-9122 | 39-29-9122 MOLEX ORIGINAL | 39-29-9122.pdf |