창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TPSE686M025RNJ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TPSE686M025RNJ | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TPSE686M025RNJ | |
| 관련 링크 | TPSE686M, TPSE686M025RNJ 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | LQW2BAS12NJ00L | 12nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 150 mOhm Max 0806 (2015 Metric) | LQW2BAS12NJ00L.pdf | |
![]() | TXS2-9V | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Through Hole | TXS2-9V.pdf | |
![]() | CRT0805-BY-2612ELF | RES SMD 26.1KOHM 0.1% 1/8W 0805 | CRT0805-BY-2612ELF.pdf | |
![]() | AC82GN40 QV76 | AC82GN40 QV76 INTEL BGA | AC82GN40 QV76.pdf | |
![]() | K4S510832D- | K4S510832D- SAMSUNG SMD or Through Hole | K4S510832D-.pdf | |
![]() | RD420003NWF | RD420003NWF TI DIP40 | RD420003NWF.pdf | |
![]() | FMA9A /A9 | FMA9A /A9 ROHM SOT-153 | FMA9A /A9.pdf | |
![]() | LC374TWN1-65P-A1 | LC374TWN1-65P-A1 CREE ROHS | LC374TWN1-65P-A1.pdf | |
![]() | AHA226M35C12T | AHA226M35C12T CDE SMD | AHA226M35C12T.pdf | |
![]() | JS28F640J3D75872336 | JS28F640J3D75872336 INTEL SMD or Through Hole | JS28F640J3D75872336.pdf | |
![]() | 16PT8512BLF | 16PT8512BLF LB DIP | 16PT8512BLF.pdf |