창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TPS65110RGEG3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TPS65110RGEG3 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | QFN-24 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TPS65110RGEG3 | |
| 관련 링크 | TPS6511, TPS65110RGEG3 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | MLG0402Q2N7ST000 | 2.7nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 800 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | MLG0402Q2N7ST000.pdf | |
![]() | AHN12105 | AHN RELAY 1 FORM C 5V | AHN12105.pdf | |
![]() | AD640OP | AD640OP AD SOP-8 | AD640OP.pdf | |
![]() | HYR-2001 | HYR-2001 ALEPH SMD or Through Hole | HYR-2001.pdf | |
![]() | TBA121-5 | TBA121-5 INF DIP | TBA121-5.pdf | |
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![]() | 426128-001 | 426128-001 QUALCOMM BGA | 426128-001.pdf | |
![]() | 50N03 | 50N03 ORIGINAL TO-252 | 50N03 .pdf | |
![]() | HYCOSEHOAF3P-5S60E-C | HYCOSEHOAF3P-5S60E-C HYNIX SMD or Through Hole | HYCOSEHOAF3P-5S60E-C.pdf | |
![]() | F65550AI | F65550AI CHIPS SMD or Through Hole | F65550AI.pdf | |
![]() | PC28F256P30T85,873900 | PC28F256P30T85,873900 INTEL T-PBGA64 | PC28F256P30T85,873900.pdf | |
![]() | PDR3G-13-F | PDR3G-13-F DIODES SMD or Through Hole | PDR3G-13-F.pdf |