창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPS1101DRG4 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPS1101, TPS1101Y | |
제조업체 제품 페이지 | TPS1101DRG4 Specifications | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 15V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 90m옴 @ 2.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11.25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 791mW | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPS1101DRG4 | |
관련 링크 | TPS110, TPS1101DRG4 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
![]() | SI7384DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 | SI7384DP-T1-GE3.pdf | |
![]() | PLT0805Z4530LBTS | RES SMD 453 OHM 0.01% 1/4W 0805 | PLT0805Z4530LBTS.pdf | |
![]() | 77081823P | RES ARRAY 7 RES 82K OHM 8SIP | 77081823P.pdf | |
![]() | CF8A-470N | CF8A-470N KOR SMD | CF8A-470N.pdf | |
![]() | USBN9603-28MX | USBN9603-28MX NS SOP7.2 | USBN9603-28MX.pdf | |
![]() | 338097-1 | 338097-1 TE/Tyco/AMP Connector | 338097-1.pdf | |
![]() | 4540-632-SS | 4540-632-SS EPCOS SMD or Through Hole | 4540-632-SS.pdf | |
![]() | PC15XS3400C | PC15XS3400C FreescaleSemicond SMD or Through Hole | PC15XS3400C.pdf | |
![]() | RM501mA | RM501mA ROHM SOP-8 | RM501mA.pdf | |
![]() | 2SC2712-GR(T5LFT09 | 2SC2712-GR(T5LFT09 Toshiba SOP DIP | 2SC2712-GR(T5LFT09.pdf | |
![]() | LBR2518-T470MK | LBR2518-T470MK KEMET SMD | LBR2518-T470MK.pdf |