창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TPS1100PW | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TPS1100, TPS1100Y | |
| 제조업체 제품 페이지 | TPS1100PW Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 15V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.27A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.45nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 504mW | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-TSSOP | |
| 표준 포장 | 150 | |
| 다른 이름 | TPS1100PWG4 TPS1100PWG4-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TPS1100PW | |
| 관련 링크 | TPS11, TPS1100PW 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | 416F40025ADT | 40MHz ±20ppm 수정 18pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40025ADT.pdf | |
![]() | SML4757AHE3/61 | DIODE ZENER 51V 1W DO214AC | SML4757AHE3/61.pdf | |
![]() | DS1815R-20+TR | DS1815R-20+TR DALLAS SOT23 | DS1815R-20+TR.pdf | |
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![]() | 6200000000000 | 6200000000000 AVX SMD or Through Hole | 6200000000000.pdf | |
![]() | 3258-01378-00 | 3258-01378-00 FAIRCHILD SMD or Through Hole | 3258-01378-00.pdf | |
![]() | HM512200BS6 | HM512200BS6 HIT SOJ-20 | HM512200BS6.pdf | |
![]() | DTM12C | DTM12C SAY TO-220 | DTM12C.pdf | |
![]() | 216PS2BFA22H IGP3 | 216PS2BFA22H IGP3 ATI BGA | 216PS2BFA22H IGP3.pdf | |
![]() | TDA9176N1 | TDA9176N1 ph QFP | TDA9176N1.pdf |