창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPS1100PW | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPS1100, TPS1100Y | |
제조업체 제품 페이지 | TPS1100PW Specifications | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 15V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.27A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 1.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.45nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 504mW | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-TSSOP | |
표준 포장 | 150 | |
다른 이름 | TPS1100PWG4 TPS1100PWG4-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPS1100PW | |
관련 링크 | TPS11, TPS1100PW 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
![]() | C1210C105J3RACTU | 1µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C1210C105J3RACTU.pdf | |
![]() | TBU-CA065-500-WH | SURGE SUPP TBU 500MA 650VIMP SMD | TBU-CA065-500-WH.pdf | |
![]() | TK4P55D(T6RSS-Q) | MOSFET N-CH 550V 4A DPAK-3 | TK4P55D(T6RSS-Q).pdf | |
![]() | TNPW2010357RBETF | RES SMD 357 OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010357RBETF.pdf | |
![]() | HD64180ZP6V | HD64180ZP6V HITACHI DIP | HD64180ZP6V.pdf | |
![]() | 52207-0551 | 52207-0551 MOLEX SMD or Through Hole | 52207-0551.pdf | |
![]() | C0805C271G5GAC7800 | C0805C271G5GAC7800 ORIGINAL SMD or Through Hole | C0805C271G5GAC7800.pdf | |
![]() | RC1/2-472J | RC1/2-472J KAMAYAOHM RESISTORS-4.7K5 | RC1/2-472J.pdf | |
![]() | MDT10P62K | MDT10P62K MDT DIP28 | MDT10P62K.pdf | |
![]() | SN74LVC3G34YEPR | SN74LVC3G34YEPR TI DSBGA | SN74LVC3G34YEPR.pdf | |
![]() | SSF9N90A | SSF9N90A SAMSUNG FET | SSF9N90A.pdf | |
![]() | TLC071BCDRG4 | TLC071BCDRG4 TI SMD or Through Hole | TLC071BCDRG4.pdf |