Texas Instruments TPS1100DR

TPS1100DR
제조업체 부품 번호
TPS1100DR
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
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내부 부품 번호EIS-TPS1100DR
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서TPS1100, TPS1100Y
제조업체 제품 페이지TPS1100DR Specifications
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Texas Instruments
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)15V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1.6A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs180m옴 @ 1.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs5.45nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds-
전력 - 최대791mW
작동 온도-40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SOIC
표준 포장 2,500
다른 이름TPS1100DRG4
TPS1100DRG4-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)TPS1100DR
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