창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TPS1100DR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TPS1100, TPS1100Y | |
| 제조업체 제품 페이지 | TPS1100DR Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 15V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.6A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.45nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 791mW | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | TPS1100DRG4 TPS1100DRG4-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TPS1100DR | |
| 관련 링크 | TPS11, TPS1100DR 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | ERJ-1GEF1583C | RES SMD 158K OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GEF1583C.pdf | |
![]() | CRGV2512F487K | RES SMD 487K OHM 1% 1W 2512 | CRGV2512F487K.pdf | |
![]() | IDT5V996BBI | IDT5V996BBI IDT BGA | IDT5V996BBI.pdf | |
![]() | 821/50V | 821/50V ORIGINAL SMD or Through Hole | 821/50V.pdf | |
![]() | LFA30-15B1627B075A | LFA30-15B1627B075A muRata SMD | LFA30-15B1627B075A.pdf | |
![]() | NSA0149B | NSA0149B CRYSTAL SMD or Through Hole | NSA0149B.pdf | |
![]() | CY7C404-25LC | CY7C404-25LC CYPRESS LCC | CY7C404-25LC.pdf | |
![]() | BZG04-150(150V) | BZG04-150(150V) PHILIPS SMD or Through Hole | BZG04-150(150V).pdf | |
![]() | QS720235JR | QS720235JR QUA PLCC | QS720235JR.pdf | |
![]() | 83405220644760 + | 83405220644760 + TI QFP | 83405220644760 +.pdf | |
![]() | MMST4401 K3X | MMST4401 K3X ORIGINAL SMD or Through Hole | MMST4401 K3X.pdf | |
![]() | SRA2203S. | SRA2203S. AUK SOT-23 | SRA2203S..pdf |