창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPS1100D | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPS1100, TPS1100Y | |
제조업체 제품 페이지 | TPS1100D Specifications | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1033 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 15V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 1.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.45nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 791mW | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | 296-3379-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPS1100D | |
관련 링크 | TPS1, TPS1100D 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
![]() | RT0402DRE072K26L | RES SMD 2.26KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RT0402DRE072K26L.pdf | |
![]() | PAT0805E3091BST1 | RES SMD 3.09K OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E3091BST1.pdf | |
![]() | ESRE500ETDR33MD05D | ESRE500ETDR33MD05D Chemi-con NA | ESRE500ETDR33MD05D.pdf | |
![]() | NJM2396F33 05+ | NJM2396F33 05+ JRC SMD or Through Hole | NJM2396F33 05+.pdf | |
![]() | SAA7284ZPM2 | SAA7284ZPM2 PHIL SMD or Through Hole | SAA7284ZPM2.pdf | |
![]() | 55LD019B 45-C-BWE | 55LD019B 45-C-BWE SST BGA | 55LD019B 45-C-BWE.pdf | |
![]() | HMC849LP4CETR | HMC849LP4CETR HITTITE QFN-16 | HMC849LP4CETR.pdf | |
![]() | CIMAX-TM2.0//T90FJR- | CIMAX-TM2.0//T90FJR- ATMEL SMD or Through Hole | CIMAX-TM2.0//T90FJR-.pdf | |
![]() | 101H70N335KV4E | 101H70N335KV4E JOH SMD or Through Hole | 101H70N335KV4E.pdf | |
![]() | NPCE791GAODX | NPCE791GAODX NUVOTON QFP | NPCE791GAODX.pdf | |
![]() | EN1212C1 | EN1212C1 ENTROPIC QFN | EN1212C1.pdf | |
![]() | D10XB80-7000 | D10XB80-7000 SHINDENGEN SMD or Through Hole | D10XB80-7000.pdf |