창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPN7R506NH,L1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPN7R506NH | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 42W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-TSON 고급 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | TPN7R506NH,L1Q(M TPN7R506NHL1QTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPN7R506NH,L1Q | |
관련 링크 | TPN7R506, TPN7R506NH,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | ASG2-LJ-400.000MHZ-513288 | 400MHz LVPECL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 65mA Enable/Disable | ASG2-LJ-400.000MHZ-513288.pdf | |
![]() | CPF0402B1K0E | RES SMD 1K OHM 0.1% 1/16W 0402 | CPF0402B1K0E.pdf | |
![]() | RA3-35V220ME3 | RA3-35V220ME3 ELNA DIP | RA3-35V220ME3.pdf | |
![]() | 350YXA0R47M6.3X11 | 350YXA0R47M6.3X11 ORIGINAL SMD or Through Hole | 350YXA0R47M6.3X11.pdf | |
![]() | SNS10A-12-5R0 | SNS10A-12-5R0 Powerplaza AC-DC DC-DC | SNS10A-12-5R0.pdf | |
![]() | X4645V8I-2.7 | X4645V8I-2.7 XICOR SMD or Through Hole | X4645V8I-2.7.pdf | |
![]() | SAB-C501G | SAB-C501G ORIGINAL PLCC | SAB-C501G.pdf | |
![]() | CY62147DV30L-55ZSXET | CY62147DV30L-55ZSXET CYPRESS N A | CY62147DV30L-55ZSXET.pdf | |
![]() | 35YXA47M | 35YXA47M Rubycon SMD or Through Hole | 35YXA47M.pdf | |
![]() | HR801031 | HR801031 HR SMD or Through Hole | HR801031.pdf | |
![]() | PS7200E | PS7200E NEC SOP4 | PS7200E.pdf |