창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPN5900CNH,L1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPN5900CNH | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 59m옴 @ 4.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 600pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 39W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-TSON 고급 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | TPN5900CNH,L1Q(M TPN5900CNHL1QTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPN5900CNH,L1Q | |
관련 링크 | TPN5900C, TPN5900CNH,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | 50SEV33M8X10.5 | 33µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 85°C | 50SEV33M8X10.5.pdf | |
![]() | 12061A301GA12A | 300pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12061A301GA12A.pdf | |
![]() | BFC246729223 | 0.022µF Film Capacitor 220V 400V Polyester, Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | BFC246729223.pdf | |
![]() | VUO160-12NO7 | RECT BRIDGE 3PH 1200V PWS-E-1 | VUO160-12NO7.pdf | |
![]() | FSR1013-153KL | 15mH Shielded Wirewound Inductor 38mA 58 Ohm Max Radial | FSR1013-153KL.pdf | |
![]() | 32P4730-CGT | 32P4730-CGT TDK SMD or Through Hole | 32P4730-CGT.pdf | |
![]() | 6240GA1 | 6240GA1 ORIGINAL QFN-12 | 6240GA1.pdf | |
![]() | WR20X101JT | WR20X101JT WALSIN SMD | WR20X101JT.pdf | |
![]() | TS3USB30RSW | TS3USB30RSW TI SMD or Through Hole | TS3USB30RSW.pdf | |
![]() | AUO-12201/K3 | AUO-12201/K3 KAWASAKI TQFP128 | AUO-12201/K3.pdf | |
![]() | MFCA-PAC | MFCA-PAC AMIS SOP20 | MFCA-PAC.pdf | |
![]() | AP051A121JQT2A | AP051A121JQT2A AVX SMD | AP051A121JQT2A.pdf |