Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R712MD,L1Q
- 제조업체 부품 번호
- TPN4R712MD,L1Q
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
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TPN4R712MD,L1Q 가격 및 조달
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TPN4R712MD,L1Q 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TPN4R712MD,L1Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TPN4R712MD | |
| 주요제품 | UMOS-VI Series Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 36A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.7m옴 @ 18A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 65nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4300pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 42W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-TSON 고급 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | TPN4R712MD,L1Q(M TPN4R712MDL1QTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TPN4R712MD,L1Q | |
| 관련 링크 | TPN4R712, TPN4R712MD,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
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