창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPN4R712MD,L1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPN4R712MD | |
주요제품 | UMOS-VI Series Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 36A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.7m옴 @ 18A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 65nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4300pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 42W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-TSON 고급 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | TPN4R712MD,L1Q(M TPN4R712MDL1QTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPN4R712MD,L1Q | |
관련 링크 | TPN4R712, TPN4R712MD,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | MKP1841310404M | 10000pF Film Capacitor 220V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.512" L x 0.157" W (13.00mm x 4.00mm) | MKP1841310404M.pdf | |
![]() | T502D685K035AG6110 | 6.8µF Molded Tantalum Capacitors 35V 2917 (7343 Metric) 1.8 Ohm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T502D685K035AG6110.pdf | |
![]() | SMAJ48A-13-F | TVS DIODE 48VWM 77.4VC SMA | SMAJ48A-13-F.pdf | |
![]() | 3338A3 | 3338A3 AD SOT223-3P | 3338A3.pdf | |
![]() | SD1100C04C | SD1100C04C IR SMD or Through Hole | SD1100C04C.pdf | |
![]() | PMB2240FV1.4GEG | PMB2240FV1.4GEG SIEMENS TQFP48 | PMB2240FV1.4GEG.pdf | |
![]() | CR-300 | CR-300 BIVAR CR-300SeriesBlack | CR-300.pdf | |
![]() | 02013J2R4ABSTR | 02013J2R4ABSTR AVX SMD | 02013J2R4ABSTR.pdf | |
![]() | TE28F160C3BD70. | TE28F160C3BD70. TE TSOP | TE28F160C3BD70..pdf | |
![]() | V3-2409S/D01 | V3-2409S/D01 MOTIEN SIP7 | V3-2409S/D01.pdf | |
![]() | L6271 | L6271 ST SOP | L6271.pdf |