Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R712MD,L1Q

TPN4R712MD,L1Q
제조업체 부품 번호
TPN4R712MD,L1Q
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
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내부 부품 번호EIS-TPN4R712MD,L1Q
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서TPN4R712MD
주요제품UMOS-VI Series Power MOSFETs
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C36A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs4.7m옴 @ 18A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.2V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs65nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds4300pF @ 10V
전력 - 최대42W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력VDFN
공급 장치 패키지8-TSON 고급
표준 포장 5,000
다른 이름TPN4R712MD,L1Q(M
TPN4R712MDL1QTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)TPN4R712MD,L1Q
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