창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPN2R304PL,L1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | ||
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPN2R304PL | |
주요제품 | 30 V and 40 V Ultra-High Efficiency MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.3m옴@ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 0.3mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3600pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 630mW | |
작동 온도 | 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-TSON 고급 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | TPN2R304PL,L1Q(M TPN2R304PLL1QTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPN2R304PL,L1Q | |
관련 링크 | TPN2R304, TPN2R304PL,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | BFC246704274 | 0.27µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.492" L x 0.165" W (12.50mm x 4.20mm) | BFC246704274.pdf | |
![]() | PS-240 | Power Supply LPCV Series | PS-240.pdf | |
![]() | ERA-3AEB2152V | RES SMD 21.5KOHM 0.1% 1/10W 0603 | ERA-3AEB2152V.pdf | |
![]() | ERJ-PA3D2800V | RES SMD 280 OHM 0.5% 1/4W 0603 | ERJ-PA3D2800V.pdf | |
![]() | 28SF040-120-4C-NH | 28SF040-120-4C-NH SST SMD or Through Hole | 28SF040-120-4C-NH.pdf | |
![]() | TMS320C6414GLZC20-56A85DW | TMS320C6414GLZC20-56A85DW DSP BGA | TMS320C6414GLZC20-56A85DW.pdf | |
![]() | XC2V3000-BG728-5C | XC2V3000-BG728-5C XILTNX BGA | XC2V3000-BG728-5C.pdf | |
![]() | 24LC024I/ST | 24LC024I/ST MICROCHIP TSSOP8 | 24LC024I/ST.pdf | |
![]() | MC68000RC82C91E | MC68000RC82C91E ORIGINAL SMD or Through Hole | MC68000RC82C91E.pdf | |
![]() | M5278L56 | M5278L56 ORIGINAL SMD or Through Hole | M5278L56.pdf |