Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R304PL,L1Q

TPN2R304PL,L1Q
제조업체 부품 번호
TPN2R304PL,L1Q
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 40V 80A TSON
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내부 부품 번호EIS-TPN2R304PL,L1Q
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서TPN2R304PL
주요제품30 V and 40 V Ultra-High Efficiency MOSFETs
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황신제품
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C80A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2.3m옴@ 40A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.4V @ 0.3mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs41nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds3600pF @ 20V
전력 - 최대630mW
작동 온도175°C
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력VDFN
공급 장치 패키지8-TSON 고급
표준 포장 5,000
다른 이름TPN2R304PL,L1Q(M
TPN2R304PLL1QTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)TPN2R304PL,L1Q
관련 링크TPN2R304, TPN2R304PL,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
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