창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPN2R203NC,L1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPN2R203NC | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 45A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.2m옴 @ 22.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 500µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2230pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 42W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-TSON 고급 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | TPN2R203NC,L1Q(M TPN2R203NC,L1QTR TPN2R203NC,L1QTR-ND TPN2R203NCL1QTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPN2R203NC,L1Q | |
관련 링크 | TPN2R203, TPN2R203NC,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | CTS33.333M | CTS33.333M CTS SMD | CTS33.333M.pdf | |
![]() | IR7465TR | IR7465TR IR SOP-8 | IR7465TR.pdf | |
![]() | HN46271G | HN46271G LSI SOP-20 | HN46271G.pdf | |
![]() | PVZ3A504A01R00 | PVZ3A504A01R00 ORIGINAL SMD or Through Hole | PVZ3A504A01R00.pdf | |
![]() | HY-17601 | HY-17601 ORIGINAL SMD or Through Hole | HY-17601.pdf | |
![]() | SG-310 SCF C 4.0MHZ | SG-310 SCF C 4.0MHZ ORIGINAL SMD or Through Hole | SG-310 SCF C 4.0MHZ.pdf | |
![]() | MHL1JCTTD15NJ | MHL1JCTTD15NJ KOA SMD | MHL1JCTTD15NJ.pdf | |
![]() | PLXPLVESG425 | PLXPLVESG425 PICOLIGHT BGA | PLXPLVESG425.pdf | |
![]() | RFT31001A1QT | RFT31001A1QT QUALCOMM QFN | RFT31001A1QT.pdf | |
![]() | CXN1000 | CXN1000 SONY SMD or Through Hole | CXN1000.pdf | |
![]() | STV2246AP | STV2246AP ST DIP-56P | STV2246AP.pdf |