창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPN11006NL,LQ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPN11006NL | |
주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11.4m옴 @ 8.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2000pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 700mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-TSON 고급 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | TPN11006NL,LQ(S TPN11006NLLQTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPN11006NL,LQ | |
관련 링크 | TPN1100, TPN11006NL,LQ 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | MAL205674223E3 | 22000µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 44 mOhm @ 100Hz 12000 Hrs @ 85°C | MAL205674223E3.pdf | |
![]() | 3EZ160D2/TR8 | DIODE ZENER 160V 3W DO204AL | 3EZ160D2/TR8.pdf | |
![]() | ERJ-XGEJ333Y | RES SMD 33K OHM 5% 1/32W 01005 | ERJ-XGEJ333Y.pdf | |
![]() | 3225 6.8UH | 3225 6.8UH ORIGINAL SMD or Through Hole | 3225 6.8UH.pdf | |
![]() | DQAEN | DQAEN ORIGINAL SMD or Through Hole | DQAEN.pdf | |
![]() | CXA1238N | CXA1238N SONY TSSOP | CXA1238N.pdf | |
![]() | Z8F1621AN020SG | Z8F1621AN020SG ZILOG SMD or Through Hole | Z8F1621AN020SG.pdf | |
![]() | NGK112/6300 | NGK112/6300 ELSCHUKOM SMD or Through Hole | NGK112/6300.pdf | |
![]() | BH6580KV-F | BH6580KV-F ROHM TQFP | BH6580KV-F.pdf | |
![]() | RP2402PQW | RP2402PQW RICHPOWER WQFN3x3-16L | RP2402PQW.pdf | |
![]() | FTLX8511D3BTL | FTLX8511D3BTL FINISAR SMD or Through Hole | FTLX8511D3BTL.pdf | |
![]() | M74HCT283N | M74HCT283N PHL DIP | M74HCT283N.pdf |