창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPHR6503PL,L1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | ||
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPHR6503PL | |
주요제품 | 30 V and 40 V Ultra-High Efficiency MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 150A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.65m옴@ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10000pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 960mW | |
작동 온도 | 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP Advance | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | TPHR6503PL,L1Q(M TPHR6503PLL1QTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPHR6503PL,L1Q | |
관련 링크 | TPHR6503, TPHR6503PL,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | P51-100-S-F-D-20MA-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Sealed Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-100-S-F-D-20MA-000-000.pdf | |
![]() | LDC151G7317Q-352 | LDC151G7317Q-352 MURATA SMD | LDC151G7317Q-352.pdf | |
![]() | VB-24TCU | VB-24TCU ORIGINAL SMD or Through Hole | VB-24TCU.pdf | |
![]() | YMF711 | YMF711 ORIGINAL SMD or Through Hole | YMF711.pdf | |
![]() | 1N5367BRLG(43V) | 1N5367BRLG(43V) ON SMD or Through Hole | 1N5367BRLG(43V).pdf | |
![]() | SDA5550MQB | SDA5550MQB MICRONAS SMD or Through Hole | SDA5550MQB.pdf | |
![]() | APTGF30X60RTP2G | APTGF30X60RTP2G APT SMD or Through Hole | APTGF30X60RTP2G.pdf | |
![]() | GRM219R11H333KA01D | GRM219R11H333KA01D MURATA SMD | GRM219R11H333KA01D.pdf | |
![]() | GF06WB204M | GF06WB204M TOCOS SMD or Through Hole | GF06WB204M.pdf | |
![]() | VL1A470MF8R | VL1A470MF8R NOVER SMD or Through Hole | VL1A470MF8R.pdf | |
![]() | DM54S174J/883B | DM54S174J/883B NS CDIP | DM54S174J/883B.pdf |