Toshiba Semiconductor and Storage TPH8R903NL,LQ

TPH8R903NL,LQ
제조업체 부품 번호
TPH8R903NL,LQ
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
데이터 시트 다운로드
다운로드
TPH8R903NL,LQ 가격 및 조달

가능 수량

11550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 289.11168
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 TPH8R903NL,LQ 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. TPH8R903NL,LQ 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TPH8R903NL,LQ가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
TPH8R903NL,LQ 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
TPH8R903NL,LQ 매개 변수
내부 부품 번호EIS-TPH8R903NL,LQ
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서TPH8R903NL
주요제품U-MOSⅧ-H MOSFETs
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C20A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8.9m옴 @ 10A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.3V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs9.8nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds820pF @ 15V
전력 - 최대1.6W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력VDFN
공급 장치 패키지8-SOP Advance
표준 포장 3,000
다른 이름TPH8R903NL,LQ(S
TPH8R903NLLQTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)TPH8R903NL,LQ
관련 링크TPH8R90, TPH8R903NL,LQ 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
TPH8R903NL,LQ 의 관련 제품
0.03µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.100" Dia x 0.260" L(2.54mm x 6.60mm) SA205C303JAR.pdf
MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY MP1-3M-3H-1D-03.pdf
RES SMD 13 OHM 5% 1/5W 0603 CRGH0603J13R.pdf
RES SMD 5.1K OHM 0.1% 1/4W 1206 RG3216V-5101-B-T5.pdf
EEETP1V221AP PANASONIC SMD or Through Hole EEETP1V221AP.pdf
A7022 SOP- APEXONE A7022.pdf
108102D Tyco con 108102D.pdf
JSM-21SAC1 JDS XX JSM-21SAC1.pdf
504 ORIGINAL SMD or Through Hole 504.pdf
DF2215RTE24V Renesas SMD or Through Hole DF2215RTE24V.pdf
L4973D5N/A1-013TR ST SMD or Through Hole L4973D5N/A1-013TR.pdf
LIA3468 muRata NULL LIA3468.pdf