Toshiba Semiconductor and Storage TPH8R903NL,LQ

TPH8R903NL,LQ
제조업체 부품 번호
TPH8R903NL,LQ
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
데이터 시트 다운로드
다운로드
TPH8R903NL,LQ 가격 및 조달

가능 수량

11550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 289.11168
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 TPH8R903NL,LQ 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. TPH8R903NL,LQ 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TPH8R903NL,LQ가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
TPH8R903NL,LQ 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
TPH8R903NL,LQ 매개 변수
내부 부품 번호EIS-TPH8R903NL,LQ
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서TPH8R903NL
주요제품U-MOSⅧ-H MOSFETs
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C20A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8.9m옴 @ 10A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.3V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs9.8nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds820pF @ 15V
전력 - 최대1.6W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력VDFN
공급 장치 패키지8-SOP Advance
표준 포장 3,000
다른 이름TPH8R903NL,LQ(S
TPH8R903NLLQTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)TPH8R903NL,LQ
관련 링크TPH8R90, TPH8R903NL,LQ 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
TPH8R903NL,LQ 의 관련 제품
150pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) VJ0805D151JLPAT.pdf
TVS DIODE 75VWM 127.05VC SMD SMDJ75.pdf
RES SMD 8.2K OHM 0.1% 1/4W 1206 MCA12060D8201BP100.pdf
H5RS5223CFR N2C HYNIX BGA H5RS5223CFR N2C.pdf
M65013 MITSUBISHI PLCC M65013.pdf
ECEC2WP820AJ PANASONIC DIP ECEC2WP820AJ.pdf
TDA8759HV/8/C1,551 NXPPHILIPS N A TDA8759HV/8/C1,551.pdf
UMH1N--TN-Z11 ROHM SMD or Through Hole UMH1N--TN-Z11.pdf
EN29LV320B EON TSOP EN29LV320B.pdf
S-80935CNPF-G85TFG SEIKO SMD S-80935CNPF-G85TFG.pdf
TL061CP3 TIS Call TL061CP3.pdf
KD1204PKB2(2) SUNON SMD or Through Hole KD1204PKB2(2).pdf