창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPH4R606NH,L1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPH4R606NH | |
주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 32A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.6m옴 @ 16A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 500µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3965pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 63W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP Advance | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | TPH4R606NH,L1Q(M TPH4R606NHL1Q TPH4R606NHL1QTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPH4R606NH,L1Q | |
관련 링크 | TPH4R606, TPH4R606NH,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | BLM21PG600SN1D | 60 Ohm Impedance Ferrite Bead 0805 (2012 Metric) Surface Mount Power Line 3.5A 1 Lines 20 mOhm Max DCR -55°C ~ 125°C | BLM21PG600SN1D.pdf | |
![]() | MBB02070C9539FC100 | RES 95.3 OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C9539FC100.pdf | |
![]() | OPB717 | SENSR OPTO REFL 12.7MM PANEL MNT | OPB717.pdf | |
![]() | 0493005.NR | 0493005.NR Littelfus 1206 | 0493005.NR.pdf | |
![]() | BCM5348MA1IPBG | BCM5348MA1IPBG BROADCOM BGA | BCM5348MA1IPBG.pdf | |
![]() | CA10358 | CA10358 HARRIS DIP8 | CA10358.pdf | |
![]() | TIP127Z | TIP127Z ST SMD or Through Hole | TIP127Z.pdf | |
![]() | 2SB977 | 2SB977 NEC CAN | 2SB977.pdf | |
![]() | SCX6244SDBVS | SCX6244SDBVS NSC PLCC | SCX6244SDBVS.pdf | |
![]() | ECJNFF1C105Z | ECJNFF1C105Z Panasonic O805 | ECJNFF1C105Z.pdf | |
![]() | ERJ2GEJ106 | ERJ2GEJ106 ORIGINAL NA | ERJ2GEJ106.pdf | |
![]() | SNWM | SNWM EIC SMA | SNWM.pdf |