창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPH4R606NH,L1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPH4R606NH | |
주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 32A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.6m옴 @ 16A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 500µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3965pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 63W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP Advance | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | TPH4R606NH,L1Q(M TPH4R606NHL1Q TPH4R606NHL1QTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPH4R606NH,L1Q | |
관련 링크 | TPH4R606, TPH4R606NH,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | 170M5882 | FUSE 250A 690V DIN 2 GR | 170M5882.pdf | |
![]() | SIT3808AI-D-18SM | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 31mA Standby | SIT3808AI-D-18SM.pdf | |
![]() | SK38A-LTP | DIODE SCHOTTKY 80V 3A DO214AC | SK38A-LTP.pdf | |
![]() | 58L1MY18P-7.5A | 58L1MY18P-7.5A ORIGINAL QFP-100L | 58L1MY18P-7.5A.pdf | |
![]() | SN75LBC968DLRG4 | SN75LBC968DLRG4 TI SSOP-56 | SN75LBC968DLRG4.pdf | |
![]() | ZTX114 | ZTX114 ZETEX TO-92S | ZTX114.pdf | |
![]() | RB400D NOPB | RB400D NOPB ROHM SOT23 | RB400D NOPB.pdf | |
![]() | 0406/120UH | 0406/120UH ORIGINAL SMD or Through Hole | 0406/120UH.pdf | |
![]() | MMPQI222A | MMPQI222A MOT SOP | MMPQI222A.pdf | |
![]() | CBB81 1600V102J | CBB81 1600V102J ORIGINAL SMD or Through Hole | CBB81 1600V102J.pdf | |
![]() | XCM6290J-12 | XCM6290J-12 MOT SMD or Through Hole | XCM6290J-12.pdf | |
![]() | SN7407DR2G | SN7407DR2G TI SOP-14 | SN7407DR2G.pdf |