창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPH4R50ANH,L1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPH4R50ANH | |
주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 58nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5200pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 78W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP Advance | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | TPH4R50ANH,L1Q(M TPH4R50ANHL1QTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPH4R50ANH,L1Q | |
관련 링크 | TPH4R50A, TPH4R50ANH,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | MAX24301SE | MAX24301SE MAXIM SOP16 | MAX24301SE.pdf | |
![]() | TC90417XB-D | TC90417XB-D TOSHIBA SMD or Through Hole | TC90417XB-D.pdf | |
![]() | 30620278-01 | 30620278-01 ORIGINAL TQFP-100 | 30620278-01.pdf | |
![]() | SVM7963 | SVM7963 N/A SMD or Through Hole | SVM7963.pdf | |
![]() | B11B-EH-A(LF)(SN) | B11B-EH-A(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | B11B-EH-A(LF)(SN).pdf | |
![]() | MNI-1/4-32 | MNI-1/4-32 RIC SMD or Through Hole | MNI-1/4-32.pdf | |
![]() | TP-FX300-3-35 | TP-FX300-3-35 ORIGINAL SMD or Through Hole | TP-FX300-3-35.pdf | |
![]() | VC4113 | VC4113 JVC QFP | VC4113.pdf | |
![]() | DG419AX/883 | DG419AX/883 MAX DIP | DG419AX/883.pdf | |
![]() | MBRB41H100C | MBRB41H100C ON TO-263-3 | MBRB41H100C.pdf | |
![]() | P33-1 | P33-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | P33-1.pdf | |
![]() | 1SMC5916BT3G | 1SMC5916BT3G ON SMD or Through Hole | 1SMC5916BT3G.pdf |