창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPH3R704PL,L1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | ||
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPH3R704PL | |
주요제품 | 30 V and 40 V Ultra-High Efficiency MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 92A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7m옴@ 46A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 0.2mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2500pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 960mW | |
작동 온도 | 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP Advance | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | TPH3R704PL,L1Q(M TPH3R704PLL1QTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPH3R704PL,L1Q | |
관련 링크 | TPH3R704, TPH3R704PL,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | FRN14JT3R30 | RES FUSE 3.3 OHM 1/4W 5% AXIAL | FRN14JT3R30.pdf | |
![]() | 7910C | 7910C EPSON DIP-16 | 7910C.pdf | |
![]() | DS2234L | DS2234L QFP SMD or Through Hole | DS2234L.pdf | |
![]() | 1SS388/S3 | 1SS388/S3 TOSHIBA SMD or Through Hole | 1SS388/S3.pdf | |
![]() | BTA12-400CRG.. | BTA12-400CRG.. ST TO-220 | BTA12-400CRG...pdf | |
![]() | 72V265LA15PFI | 72V265LA15PFI IDT SMD or Through Hole | 72V265LA15PFI.pdf | |
![]() | SST39WF400A-90-4I-M1Q | SST39WF400A-90-4I-M1Q SST SMD or Through Hole | SST39WF400A-90-4I-M1Q.pdf | |
![]() | 606.01E | 606.01E ELMOS SMD or Through Hole | 606.01E.pdf | |
![]() | MB84256C-10LL | MB84256C-10LL FUJI DIP | MB84256C-10LL.pdf | |
![]() | DSBT2E-S-DC5V-Y7-H12 | DSBT2E-S-DC5V-Y7-H12 HP SMD or Through Hole | DSBT2E-S-DC5V-Y7-H12.pdf | |
![]() | TFDU6100 | TFDU6100 ORIGINAL SMD or Through Hole | TFDU6100.pdf | |
![]() | N74S89 | N74S89 ORIGINAL DIP-16 | N74S89.pdf |