창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPH3R203NL,L1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPH3R203NL | |
주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 23.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 300µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2100pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 44W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP Advance | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | TPH3R203NL,L1Q(M TPH3R203NL,L1QTR TPH3R203NL,L1QTR-ND TPH3R203NLL1QTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPH3R203NL,L1Q | |
관련 링크 | TPH3R203, TPH3R203NL,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | 12101U240FAT2A | 24pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.49mm) | 12101U240FAT2A.pdf | |
![]() | SMBJ11CAHE3/5B | TVS DIODE 11VWM 18.2VC SMB | SMBJ11CAHE3/5B.pdf | |
![]() | RD10EB1-11A3 | RD10EB1-11A3 NEC SMD or Through Hole | RD10EB1-11A3.pdf | |
![]() | EPM3512AFC256-5C | EPM3512AFC256-5C ALTERA BGA | EPM3512AFC256-5C.pdf | |
![]() | SAB-C165-LF3V(HA) | SAB-C165-LF3V(HA) INFINEON QFP | SAB-C165-LF3V(HA).pdf | |
![]() | NE76184AS TEL:82766440 | NE76184AS TEL:82766440 NEC SMT36 | NE76184AS TEL:82766440.pdf | |
![]() | 081# | 081# FUJISTU SMD or Through Hole | 081#.pdf | |
![]() | CEB71A3 | CEB71A3 CET/ SOT-263 | CEB71A3.pdf | |
![]() | PEH200ZH3470M | PEH200ZH3470M EVOXRIFA SMD or Through Hole | PEH200ZH3470M.pdf | |
![]() | MA2SD10 NOPB | MA2SD10 NOPB Panasonic SOD423 | MA2SD10 NOPB.pdf | |
![]() | 2SB1121T-PM | 2SB1121T-PM SANYO SOT-89 | 2SB1121T-PM.pdf | |
![]() | ISPLSI2192VE-LT100 | ISPLSI2192VE-LT100 LATTICE QFP | ISPLSI2192VE-LT100.pdf |