창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPH3R203NL,L1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPH3R203NL | |
주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 23.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 300µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2100pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 44W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP Advance | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | TPH3R203NL,L1Q(M TPH3R203NL,L1QTR TPH3R203NL,L1QTR-ND TPH3R203NLL1QTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPH3R203NL,L1Q | |
관련 링크 | TPH3R203, TPH3R203NL,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
C3216CH1H104K160AA | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 CH 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C3216CH1H104K160AA.pdf | ||
CQ0402BRNPO9BN1R3 | 1.3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CQ0402BRNPO9BN1R3.pdf | ||
1808AA101KAJ1A | 100pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808AA101KAJ1A.pdf | ||
402F500XXCKT | 50MHz ±15ppm 수정 8pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F500XXCKT.pdf | ||
8210-2M | 8210-2M ORIGINAL O-NEWSOP | 8210-2M.pdf | ||
DE2-70 | DE2-70 HITACHI SMD or Through Hole | DE2-70.pdf | ||
M5192/68-15YC-20YI | M5192/68-15YC-20YI AMD QFP | M5192/68-15YC-20YI.pdf | ||
56-450355-03 | 56-450355-03 MAVIN SMD or Through Hole | 56-450355-03.pdf | ||
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M52775PP | M52775PP MIT QFP | M52775PP.pdf | ||
IN3053 | IN3053 ORIGINAL TO-3P | IN3053.pdf |