창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPH2R306NH,L1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPH2R306NH | |
주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.3m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6100pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 78W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP Advance | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | TPH2R306NH,L1Q(M TPH2R306NHL1QTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPH2R306NH,L1Q | |
관련 링크 | TPH2R306, TPH2R306NH,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | 4201350000 | FUSE BOARD MNT 3.5A 125VAC 80VDC | 4201350000.pdf | |
![]() | L-15FR82KV4E | 820nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 1.5 Ohm Max 0805 (2012 Metric) | L-15FR82KV4E.pdf | |
![]() | RC2010FK-07910KL | RES SMD 910K OHM 1% 3/4W 2010 | RC2010FK-07910KL.pdf | |
![]() | CMF505K4900FHEB | RES 5.49K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF505K4900FHEB.pdf | |
![]() | RAV16-4D-100J | RAV16-4D-100J SEACOR SMD or Through Hole | RAV16-4D-100J.pdf | |
![]() | SN75DP120RHHRG4 | SN75DP120RHHRG4 TI/BB QFN36 | SN75DP120RHHRG4.pdf | |
![]() | BFY95 | BFY95 MOT CAN | BFY95.pdf | |
![]() | 2SC5103Q | 2SC5103Q ROHM ROHM | 2SC5103Q.pdf | |
![]() | AZT2380 | AZT2380 AD QFP | AZT2380.pdf | |
![]() | CD214B-T24CLF | CD214B-T24CLF ORIGINAL DO-214 | CD214B-T24CLF.pdf | |
![]() | K4S280832F-TC50 | K4S280832F-TC50 SAMSUNG TSSOP | K4S280832F-TC50.pdf | |
![]() | AD7564ARSZBREEL | AD7564ARSZBREEL ADI SSOP28 | AD7564ARSZBREEL.pdf |