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Toshiba Semiconductor and Storage TPH2900ENH,L1Q

TPH2900ENH,L1Q
제조업체 부품 번호
TPH2900ENH,L1Q
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
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TPH2900ENH,L1Q 매개 변수
내부 부품 번호EIS-TPH2900ENH,L1Q
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서TPH2900ENH
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)200V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C33A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs29m옴 @ 16.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs22nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2200pF @ 100V
전력 - 최대78W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력VDFN
공급 장치 패키지8-SOP Advance
표준 포장 5,000
다른 이름TPH2900ENH,L1Q(M
TPH2900ENHL1QTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)TPH2900ENH,L1Q
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