창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPH2010FNH,L1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPH2010FNH | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 198m옴 @ 2.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 600pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 42W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP Advance | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | TPH2010FNH,L1Q(M TPH2010FNHL1QTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPH2010FNH,L1Q | |
관련 링크 | TPH2010F, TPH2010FNH,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
SK470M200ST | 47µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can 4.23 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | SK470M200ST.pdf | ||
![]() | VJ0805D100KLBAP | 10pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D100KLBAP.pdf | |
![]() | BK/GMF-6/10 | FUSE CRTRDGE 600MA 300VAC NONSTD | BK/GMF-6/10.pdf | |
![]() | 2047-23-BNI | GDT 230V 20% 40KA THROUGH HOLE | 2047-23-BNI.pdf | |
![]() | MAC15-8G | TRIAC 600V 15A TO220AB | MAC15-8G.pdf | |
![]() | SSL-LX305D4IT | Red LED Indication - Discrete 2V Radial | SSL-LX305D4IT.pdf | |
![]() | ERA-2AEB331X | RES SMD 330 OHM 0.1% 1/16W 0402 | ERA-2AEB331X.pdf | |
![]() | 401-4208 | 401-4208 Dow-Key SMD or Through Hole | 401-4208.pdf | |
![]() | MBR2570CT | MBR2570CT GS TO-220 | MBR2570CT.pdf | |
![]() | GM0501PFV1-8 N.GN | GM0501PFV1-8 N.GN SUNON SMD or Through Hole | GM0501PFV1-8 N.GN.pdf | |
![]() | PIC16C505-04i/cl | PIC16C505-04i/cl ORIGINAL SMD or Through Hole | PIC16C505-04i/cl.pdf | |
![]() | XC3142ATMPQ100-2C | XC3142ATMPQ100-2C XILINX QFP | XC3142ATMPQ100-2C.pdf |