창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPH1R712MD,L1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPH1R712MD | |
주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs UMOS-VI Series Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.7m옴 @ 30A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 182nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10900pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 78W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP Advance | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | TPH1R712MD,L1Q(M TPH1R712MDL1QTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPH1R712MD,L1Q | |
관련 링크 | TPH1R712, TPH1R712MD,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | 06031A8R2C4T2A | 8.2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031A8R2C4T2A.pdf | |
![]() | ADM208 | ADM208 ADM SOP-24 | ADM208.pdf | |
![]() | AT89C51AC3-RLTUM | AT89C51AC3-RLTUM ATMEL 44-LQFP | AT89C51AC3-RLTUM.pdf | |
![]() | ICL8038AMJD/883 | ICL8038AMJD/883 INTEL CDIP | ICL8038AMJD/883.pdf | |
![]() | COY83 | COY83 ORIGINAL DIP6 | COY83.pdf | |
![]() | DTZ T11 5.1B | DTZ T11 5.1B ROHM SOD323 | DTZ T11 5.1B.pdf | |
![]() | DSC1033BI1-054.0000T | DSC1033BI1-054.0000T DISCERA SMD or Through Hole | DSC1033BI1-054.0000T.pdf | |
![]() | 400V4.7UF (475) | 400V4.7UF (475) HlF SMD or Through Hole | 400V4.7UF (475).pdf | |
![]() | BTA204-800D | BTA204-800D NXP/PH T0-220 | BTA204-800D.pdf | |
![]() | MAX223ECDBRG4 | MAX223ECDBRG4 TI SSOP20 | MAX223ECDBRG4.pdf | |
![]() | TMS320C51PQA50 | TMS320C51PQA50 TI SMD or Through Hole | TMS320C51PQA50.pdf | |
![]() | ISL6046IB | ISL6046IB INTERSIL SOP-16 | ISL6046IB.pdf |