창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPH1R712MD,L1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPH1R712MD | |
주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs UMOS-VI Series Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.7m옴 @ 30A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 182nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10900pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 78W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP Advance | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | TPH1R712MD,L1Q(M TPH1R712MDL1QTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPH1R712MD,L1Q | |
관련 링크 | TPH1R712, TPH1R712MD,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | 1N5343C/TR8 | DIODE ZENER 7.5V 5W T18 | 1N5343C/TR8.pdf | |
![]() | VLF403215MT-1R0N | 1µH Shielded Wirewound Inductor 3.56A 31 mOhm Max Nonstandard | VLF403215MT-1R0N.pdf | |
![]() | DC780R-472L | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 11.4A 5 mOhm Max Radial | DC780R-472L.pdf | |
![]() | WSPLENSAISLELWO | FL. HIGH BAY SENSOR LENS WHITE | WSPLENSAISLELWO.pdf | |
![]() | 060-P458-03 | Pressure Sensor 10000 PSI (68947.57 kPa) Vented Gauge Male - 2" (51mm) Tube 4mA ~ 20mA | 060-P458-03.pdf | |
![]() | AD7628FP | AD7628FP AD DIP | AD7628FP.pdf | |
![]() | DS3108A16S-1S | DS3108A16S-1S AMPHENOL SMD or Through Hole | DS3108A16S-1S.pdf | |
![]() | HGTD3N60A4S | HGTD3N60A4S INTERSIL TO-252 | HGTD3N60A4S.pdf | |
![]() | 74ALVC16244DTR | 74ALVC16244DTR ONS SMD or Through Hole | 74ALVC16244DTR.pdf | |
![]() | RT4540C | RT4540C SIRECT SO-8 | RT4540C.pdf | |
![]() | FL16VB181M5X15LL | FL16VB181M5X15LL UMITEDCHEMI-CON DIP | FL16VB181M5X15LL.pdf |