창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPH1R005PL,L1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | ||
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPH1R005PL | |
주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs 40 V and 45 V Ultra-High-Efficiency MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 45V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 150A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.04m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 99nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9600pF @ 22.5V | |
전력 - 최대 | 960mW | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP Advance | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | TPH1R005PL,L1Q(M TPH1R005PLL1QTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPH1R005PL,L1Q | |
관련 링크 | TPH1R005, TPH1R005PL,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
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![]() | 0603R-68NK | 68nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 340 mOhm Max 2-SMD | 0603R-68NK.pdf | |
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![]() | BLM15BB470SMM | BLM15BB470SMM ORIGINAL SMD or Through Hole | BLM15BB470SMM.pdf | |
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![]() | TPS60231RGTT | TPS60231RGTT BB/TI QFN16 | TPS60231RGTT.pdf | |
![]() | WRB4803YMD-6W | WRB4803YMD-6W MICRODC SMD or Through Hole | WRB4803YMD-6W.pdf | |
![]() | BUK481-60A | BUK481-60A PHI SOT-223 | BUK481-60A .pdf | |
![]() | MP7545SD | MP7545SD ORIGINAL DIP | MP7545SD.pdf | |
![]() | 2SA608NP | 2SA608NP ORIGINAL to-92 | 2SA608NP.pdf |